低温制备二氧化钛纳米棒阵列材料的方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201010229294.7 

申 请 日：20100716 

发 明 人：何小珊胡陈果 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20120111 

公 开 号：CN101891245B 

代 理 人：郭云 

代理机构：重庆市前沿专利事务所 50211 

摘　　要：本发明公开了一种低温制备二氧化钛纳米棒阵列材料的方法，适合二氧化钛纳米棒阵列材料的制备。包括以下步骤，清洗基片、去氧化层、配制反应溶液、加热反应、冷却、洗涤。本发明反应成本低、反应过程中的各种参数(温度、压力等)易于监测和控制、环境污染少、产物洁净。 

主 权 项：一种低温制备二氧化钛纳米棒阵列材料的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、选取钛基片，先清洗、后去除钛基片的表面氧化层待用；步骤2、配置反应溶剂，??制质量浓度1％～13％的盐酸溶液；步骤3、加热反应，取步骤2的反应溶剂，置入反应容器中，再加入步骤1的钛基片浸入反应溶剂中，密闭，然后在100～300℃温度下恒温加热1～100小时；步骤4、将步骤3反应后的钛基片冷却、洗涤后钛基片表面得到了二氧化钛纳米棒阵列材料。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：C23C22/54; C01G23/047