一种MEMS电涡流加速度计及制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510575307.9
申 请 日：20150910
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20171226
公 开 号：CN105137117B
代 理 人：谭小容
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
摘 要：本发明公开了一种MEMS电涡流加速度计，包括金属基底、金属结构、电极和电感线圈；所述金属结构包括质量块和矩形的支撑框架，所述支撑框架设置于金属基底上，所述质量块位于支撑框架内，所述质量块的左、右两侧各设置一个弹性梁与支撑框架连接；所述金属基底上从下往上依次设置有第一、二氮化硅薄膜，所述电极包括两个第一电极和两个第二电极，分别设置在一、二氮化硅薄膜上，两个所述电感线圈设置于质量块下方，并连接第一电极和第二电极。具有体积较小，结构简单，稳定性好，测量精度高等特点；此外，上述MEMS电涡流加速度计采用了表面加工工艺，避免干扰应力的引入，并且可以采用常规工艺设备实现大批量制造，成本较低。
主 权 项：一种MEMS电涡流加速度计，其特征在于：包括金属基底(4)、金属结构、电极和电感线圈(6)；所述金属结构包括质量块(1)和矩形的支撑框架(3)，所述支撑框架(3)设置于金属基底(4)上，所述质量块(1)位于支撑框架(3)内，所述质量块(1)的左、右两侧各设置一个弹性梁(2)与支撑框架(3)连接，两个所述弹性梁(2)相对于质量块(1)的第一中心线(A)对称设置，并偏离质量块(1)的第二中心线(B)；所述金属基底(4)上从下往上依次设置有第一、二氮化硅薄膜(8、81)，所述电极包括两个第一电极(5)和两个第二电极(51)，两个所述第一电极(5)对称设置在弹性梁(2)的前、后两侧的第一氮化硅薄膜上(8)，并穿过第二氮化硅薄膜(81)向上延伸，两个所述第二电极(51)相对于弹性梁(2)对称设置，并位于两个第一电极(5)之间的第二氮化硅薄膜(81)上；两个所述电感线圈(6)设置于质量块(1)下方，位于弹性梁(2)一侧的第一、二电极(5、51)与其中一个电感线圈(6)连接，位于弹性梁(2)另一侧的第一、二电极(5、51)与另一个电感线圈(6)连接。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01P15/00; G01P15/08