一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201210269387.1

申请日：20120731

发明人：张育新董萌邱鑫郝晓东刘佳黄明柳红东曾莉张淑平李新禄黄佳木

申请人：重庆大学

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20121024

公开号：CN102745750A

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摘　　要：一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,属于功能材料技术领域。本发明以去离子水,氢氧化钠和稀硫酸为溶剂,用无定形二氧化锰纳米颗粒为“种子”合成低维锰氧化物纳米晶体,无需表面活性剂,成本较低,生产容易扩大。制备出的低维锰氧化物纳米材料晶体结构和形貌丰富,合成产物粒径尺寸、形貌均匀。采用本发明方法制备出的低维锰氧化物可广泛应用于锂离子电池、太阳能电池、超级电容器等新能源器件,也可适用于催化剂载体、信息材料等领域,应用前景广阔。

主权项：一种制备低维锰氧化物纳米晶体的方法,其特征在于包括以下制备工艺：(1)水油两相法制备无定形二氧化锰纳米颗粒(2)以二氧化锰纳米颗粒做“种子”,水热合成法制备低维锰氧化物纳米晶体。

关键词：

法律状态：

IPC专利分类号：C01G45/02;B82Y30/00