浏览量:0
金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201910496768.5
申 请 日：20190610
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20190816
公 开 号：CN110129756A
代 理 人：吕小琴
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
摘 要：本发明提供一种金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底,包括衬底基片,所述衬底基片上由下至上依次为铝薄膜层、铝元素可穿透的金属薄膜层、氧化铝层和贵金属纳米岛层。由于贵金属纳米岛层具有局域电磁场增强作用,能够增强拉曼散射光,同时铝薄膜层上层的金属薄膜层和贵金属纳米岛层之间会形成作用类似于法珀波导腔的纳米腔,能够进一步增强拉曼散射光；这种结构的基底能够改变分子的散射光分布,进一步提高拉曼信号收集效率。本发明的基底的增强倍数能够达到108,远远优于现有的传统金属纳米岛SERS基底材料,而且金属薄膜层表面形成了一层超薄的Al2O3封装层,大大延长了基底材料的使用寿命,提高了基底的稳定性。
主 权 项：1.一种金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底,包括衬底基片,其特征在于：所述衬底基片上由下至上依次为铝薄膜层、铝元素可穿透的金属薄膜层、氧化铝层和贵金属纳米岛层。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：C23C14/35;C23C14/58;C23C14/18;G01N21/65