一种用于磁畴壁存储器的数据存储方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510279359.1
申 请 日：20150528
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20171114
公 开 号：CN104866240B
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种用于磁畴壁存储器的数据存储方法，它包括以下步骤：步骤1，将磁畴壁存储器上的存储单元划分为多个存储段，每个存储段对应一个读/写端口；步骤2，将每个存储段中偏移地址相同的存储单元组成一个等价集；步骤3，依据应用程序中所有数据的读写操作，生成应用程序对应的数据访问序列；步骤4，将数据访问序列中的数据集合划分为多个数据子集，数据子集中的数据之间被连续访问的次数最多；步骤5，将每个数据子集对应到一个预定的等价集，并通过地址映射公式把数据子集中的每个数据存放到相应等价集的对应存储单元中。本发明的优点：避免了大量磁轨移动操作，能降低磁畴壁存储器的能耗，又能保证加快系统的响应速度。
主 权 项：一种用于磁畴壁存储器的数据存储方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1，将磁畴壁存储器上的存储单元划分为多个存储段，每个存储段对应一个读/写端口；步骤2，将每个存储段中偏移地址相同的存储单元组成一个等价集，连续访问存储在等价集中的存储单元不需要移动操作；步骤3，依据应用程序中所有数据的读写操作，生成应用程序对应的数据访问序列；步骤4，将数据访问序列中的数据集合划分为多个数据子集，数据子集中的数据相互之间被连续访问的次数最多；步骤5，将每个数据子集对应到一个预定的等价集，并通过地址映射公式把数据子集中的每个数据存放到相应等价集的对应存储单元中。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G06F3/06