三维微米级多孔铜薄膜的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310030324.5 

申 请 日：20130125 

发 明 人：黎学明罗彬彬赖川张代雄杨文静 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150527 

公 开 号：CN103132111B 

代 理 人：张群峰;范晓斌 

代理机构：北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 

摘　　要：三维微米级多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu²⁺含量为0.08～0.2mol/L、H₂SO₄含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl^-含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔铜薄膜不仅孔径均匀、孔径小且孔隙率高。 

主 权 项：一种多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu²⁺含量为0.08～0.2mol/L、H₂SO₄含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl^?含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜；其中所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、丁炔二醇中的任意两种之组合。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C25D1/08(2006.01)I