一种基于软件编译层的可变电阻式存储器磨损均衡方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201510569734.6 

申 请 日：20150909 

发 明 人：刘铎朱萧龙林波梁靓沙行勉 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20180202 

公 开 号：CN105117175B 

代 理 人：唐开平 

代理机构：重庆大学专利中心 50201 

摘　　要：本发明公开了一种基于软件编译层的可变电阻式存储器磨损均衡方法，它包括以下步骤：1、根据程序的特征，将程序划分为多个程序区域，并统计出各个变量的写操作次数和变量的大小；2、根据内存未被占用的空间大小，动态地配置可变电阻式存储器SLC和MLC的大小；3、为各个变量分配合适的地址，为写频繁的变量分配高性能和寿命长的单层单元，为写不频繁的变量分配容量大的多层单元，4、把编译好的程序，在嵌入式系统上执行，以获得可变电阻式存储器上的磨损均衡。本发明具有以下技术效果：磨损均衡性更好，进一步提高了可变电阻式存储器的使用寿命；仅需很低的执行时间和存储开销，没有硬件开销。 

主 权 项：一种基于软件编译层的可变电阻式存储器磨损均衡方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1、根据程序的特征，将程序划分为多个程序区域，并统计出各个变量的写操作次数和变量的大小；步骤2、根据内存未被占用的空间大小，动态地配置可变电阻式存储器单层单元和多层单元的大小，具体步骤如下：步骤(1)根据多个程序区域的写信息，计算需要的内存大小：式中，i代表程序的第i个区域，k代表程序第i个区域的变量数目，M_i为程序区域i需要的内存大小，s_i,j代表程序的第i区域中第j个变量大小；步骤(2)根据区域需要的内存大小，计算出区域的空闲内存大小：F_i＝P?M_i，式中，F_i代表程序区域i的空闲内存大小，P代表可变电阻式存储器的MLC大小；步骤(3)根据区域空闲内存大小，为了提高存储器的寿命和性能，尽可能的合并MLC为SLC：式中，M_slc代表SLC的大小，代表MLC的密度,Min(F_i)代表F_i的最小值，即所有程序区域执行时至少空闲的内存大小；由此可得MLC的大小：M_mlc＝P?Min(F_i)；步骤3、为各个变量分配合适的地址，为写频繁的变量分配高性能和寿命长的SLC，为写不频繁的变量分配容量大的MLC；步骤4、把编译好的程序，在嵌入式系统上执行，以获得可变电阻式存储器上的磨损均衡。 

关 键 词：可变电阻式存储器;磨损均衡;变量分配;使用寿命;软件编译层;各个变量;执行;划分;配置;公开;内存;提高;嵌入;均衡性;写操作;被占;SLC;MLC;统计;开销; 

法律状态：授权 

IPC专利分类号：G06F3/06(2006.01)I,G06F12/06(2006.01)I