ITO导电玻璃上集成增强基底的SERS微流控芯片及制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201510695042.6 

申 请 日：20151022 

发 明 人：徐溢王蓉郑祥权陈李 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20160720 

公 开 号：CN105772118A 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：一种基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的复合式多通道SERS微流控芯片及其制备方法。本发明充分利用ITO导电玻璃表面光滑、导电性好的特性,将其作为SERS微结构的基底表面,采用两步计时电流沉积方法,通过控制纳米颗粒成核与生长过程中的沉积电位与沉积时间,控制纳米颗粒形貌与尺寸,可有效制备灵敏度高、稳定性好、均匀分布的金属纳米结构SERS基底。进一步,将其与含阵列式微通道的PDMS盖片键合,构建获得复合式、高通量的微流控SERS芯片,该芯片在同一片ITO玻璃上制作形成多个SERS检测区,其纳米增强基底是同步电化学沉积获得,其形貌一致性好,信号重现性佳。 

主 权 项：基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片,其由PDMS盖片与集成SERS增强基底的ITO基片键合而成；其特征在于：在PDMS盖片上有多条平行微通道,微通道顶面开敞,在与ITO基片键合后封闭,每条通道两端设置与通道尺寸匹配的进液口与出液口；在ITO基片上通过同步电化学沉积集成有SERS增强基底,在对应PDMS盖片上每条微通道的位置至少形成一个SERS检测区。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：B01L3/00;G01N21/65