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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN88101492.3
申 请 日:19880318
申 请 人:重庆大学
申请人地址:四川省重庆市沙坪坝区
公 开 日:19890726
公 开 号:CN1034295
代 理 人:李解
代理机构:重庆大学专利事务所
摘 要:本发明涉及一种薄膜电致发光器件及其制造法。本发明所述的发光器件以MgF2作激活物层和边缘保护层,其中激活物层厚为100A—500A,保护层厚度为300A—500A,并且本发明采用了新的金属—绝缘层—金属构型,以Al膜为负极,Au膜为正极。本发明所述的发光器件用真空电阻加热淀积法制造。该发光器件具有寿命长,能量转换率高,所发射的光可复盖整个光谱段,制备工艺简单等优点,可广泛用于各种平板显示。
主 权 项:一种由正电极层,激活物层和边缘保护层,负电极层构成薄膜 电致发光器件,其特征在于它用MgF↓[2]作激活物层3 和边缘保护层4。
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:H05B33/14;H05B33/10