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一种具有高隔离度的双频微带天线阵

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201510166037.6 

申 请 日:20150409 

发 明 人:于彦涛刘晓亚易礼君陈世勇蒋颖 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日:20180605 

公 开 号:CN104716430B 

代 理 人:赵荣之 

代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘  要:本发明涉及一种具有高隔离度的双频微带天线阵,属于天线设计技术领域。该双频微带天线阵包括介质基板、微带天线单元和C型微带谐振器;所述C型微带谐振器设置在微带天线单元之间;C型微带谐振器是一个半波长谐振器;双频微带天线阵还包括反C型缺陷地结构,所述反C型缺陷地结构刻蚀在介质基板反面的接地面上,反C型缺陷地结构可以产生阻带频率,反C型缺陷地结构产生的阻带频率通过改变反C型槽的长度进行调节。本发明提供的一种具有高隔离度的双频微带天线阵,可以同时在天线阵的两个工作频率上降低阵元之间的互耦,提高天线端口的隔离度,优选实施例显示,阵元之间的隔离度在两个工作频率上分别提高了10dB和17dB。 

主 权 项:一种具有高隔离度的双频微带天线阵,其特征在于:该双频微带天线阵包括介质基板、微带天线单元和C型微带谐振器;所述C型微带谐振器设置在微带天线单元之间;C型微带谐振器是一个半波长谐振器,用于产生一个间接的耦合路径,抵消微带天线单元间的直接互耦;所述双频微带天线阵还包括反C型缺陷地结构,所述反C型缺陷地结构用于产生阻带频率;所述反C型缺陷地结构产生的阻带频率通过改变反C型缺陷地结构的长度进行调节;所述微带天线单元为矩形微带天线,微带天线单元对称设置在介质基板的两侧,微带天线单元中含有馈电点,微带天线单元有两个工作频率;所述矩形微带天线的左右两边均设置有两个矩形凹槽;所述双频微带天线阵的尺寸为75mm×60mm,微带天线单元间距D为7mm;所述C型微带谐振器的长L5=15mm,C型微带谐振器的宽L6=5.5mm,C型微带谐振器的短枝节的长L7=5.8mm,C型微带谐振器的短枝节线宽W4=1mm;所述反C型缺陷地结构的槽宽Wd=1mm,反C型缺陷地结构短槽的长Ld1=4.9mm,反C型缺陷地结构的宽Ld2=9mm,反C型缺陷地结构的长Ld3=12mm;所述矩形微带天线的宽W2=18mm,矩形微带天线的长L2=22mm,馈电点到微带天线单元长边的距离W3=9mm,馈电点到微带天线单元宽边的距离L3=14.55mm,矩形凹槽到微带天线单元宽边的距离L4=2mm,矩形凹槽的宽H=1mm,矩形凹槽的长L8=7mm。 

关 键 词:微带天线阵;双频;缺陷地结构;高隔离度;谐振器;微带天线单元;工作频率;介质基板;隔离度;阵元;阻带;半波长谐振器;天线端口;天线设计;接地;天线阵;互耦;刻蚀;优选 

法律状态: 

IPC专利分类号:H01Q1/52(2006.01)I,H01Q21/00(2006.01)I