一种双T型四电平逆变单元及其应用电路和调制方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201711489744.4

申请日：20171229

发明人：陈剑飞李剑

申请人：重庆大学

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20180504

公开号：CN107994794A

代理人：王翔

代理机构：重庆大学专利中心 50201

摘　　要：本发明公开了一种双T型四电平逆变单元及其应用电路和调制方法。一种双T型四电平逆变单元主要分为共发射极双T型四电平逆变单元、共集电极双T型四电平逆变单元。单相四电平逆变电路和三相双T型四电平逆变电路主要由共集电极双T型四电平逆变单元构成。单相四电平逆变电路的调制方法主要包括两种。三相四电平逆变电路的调制方法主要有一种。本发明涉及到的双T型四电平逆变单元及其应用电路拓扑，其输出电压电平数增加，有利于减小输出电压谐波畸变率。

主权项：一种双T型四电平逆变单元，其特征在于，主要分为共发射极双T型四电平逆变单元和共集电极双T型四电平逆变单元两类；所述共发射极双T型四电平逆变单元的电路结构如下：电源U_in1正极所在的一端记为E端，负极所在的一端记为所述F端；所述E端依次串联电容C_I1、电容C_I2和电容C_I3后串联所述F端；所述E端串联电容C_I1后连接开关管S_I1的集电极；所述开关管S_I1的基极悬空；所述开关管S_I1的发射极串联开关管S_I2的集电极；所述开关管S_I1的发射极串联开关管S_I3的集电极。所述开关管S_I2的基极悬空；所述开关管S_I2的发射极串联电容C_I3；所述开关管S_I3的基极悬空；所述开关管S_I3的发射极串联开关管S_I4的发射极；所述开关管S_I4的基极悬空；所述开关管S_I4的集电极串联开关管S_I5的发射极；所述开关管S_I4的集电极串联开关管S_I6的集电极；所述开关管S_I1、所述开关管S_I2、所述开关管S_I3和所述开关管S_I4构成一个T型网络；所述开关管S_I5的发射极串联开关管S_I6的集电极；所述开关管S_I5的基极悬空；所述开关管S_I5的集电极串联电容C_I1；所述开关管S_I5的集电极串联E端；所述开关管S_I6的基极悬空；所述开关管S_I6的发射极串联电容C_I3；所述开关管S_I6的发射极串联F端；所述开关管S_I3、所述开关管S_I4、所述开关管S_I5和所述开关管S_I6构成一个T型网络；所述共集电极双T型四电平逆变单元的电路结构如下：电源U_in2正极所在的一端记为G端，负极所在的一端记为H端；所述G端依次串联电容C_II1、电容C_II2和电容C_II3后串联所述H端；所述G端串联电容C_II1后连接开关管S_II1的集电极；所述开关管S_II1的基极悬空；所述开关管S_II1的发射极串联开关管S_II2的集电极；所述开关管S_II1的发射极串联开关管S_II3的发射极；所述开关管S_II2的基极悬空；所述开关管S_II2的发射极串联电容C_II3；所述开关管S_II3的基极悬空；所述开关管S_II3的集电极串联开关管S_II4的集电极；所述开关管S_II4的基极悬空；所述开关管S_II4的发射极串联开关管S_II5的发射极；所述开关管S_II4的发射极串联开关管S_II6的集电极；所述开关管S_II1、所述开关管S_II2、所述开关管S_II3和所述开关管S_II4构成一个T型网络；所述开关管S_II5的发射极串联开关管S_II6的集电极；所述开关管S_II5的基极悬空；所述开关管S_II5的集电极串联电容C_II1；所述开关管S_II5的集电极串联G端；所述开关管S_II6的基极悬空；所述开关管S_II6的发射极串联电容C_II3；所述开关管S_II6的发射极串联H端；所述开关管S_II3、所述开关管S_II4、所述开关管S_II5和所述开关管S_II6构成一个T型网络。

关键词：逆变单元;逆变电路;调制;应用电路;共集电极;输出电压电平;输出电压谐波;共发射极;畸变率;减小;拓扑

法律状态：公开

IPC专利分类号：H02M7/483(2007.01)I,H02M1/14(2006.01)I