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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201810725273.0
申 请 日:20180704
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20190312
公 开 号:CN109458934A
代 理 人:
代理机构:
摘 要:本发明公开了一种光学微位移测量系统,被测物体通过连接杆与激光管相连,激光管与被测物体有相同的位移;若激光管发出的光经透镜系统形成光点只打在光电二极管阵列上某个光电二级管上,激光管的位置与光电二极管阵列中光点位置对应,即与受光二极管的序号对应。当打在光电二极管阵列的光斑可能覆盖多个二极管时,根据光电二极管阵列上激光强度分布,可设想一个等效光电二极管,其序号可为非整数,对应的输出电压是V∑,对加法器输出的贡献等于全部受光二极管输出V1…Vi…Vn贡献的总和。等效光电二极管的序号表示光电二极管阵列全部受光二极管的重心位置,重心位置与光电二极管阵列上激光强度分布有关,与光照强度、传播衰减无关。
主 权 项:1.一种光学微位移测量系统,被测物体(1)通过连接杆与激光管(2)相连,二者有相同的位移,激光管(2)发出的光经透镜系统(3)形成光斑打在光电二极管阵列(4)上,数据处理和微位移输出电路(5)的输出电压只与光电二极管阵列上激光强度分布有关,与光照强度、传播衰减无关,光电二极管阵列(4)上激光强度分布包括较大光斑覆盖多个二极管和多个光斑情况。
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:G01B11/02