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一种细胞电融合芯片及加工方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200710092892.2
申 请 日：20071026
申 请 人：重庆大学
申请人地址：重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20110504
公 开 号：CN101168724B
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：本发明涉及一种细胞电融合芯片，由陶瓷管芯、安装在陶瓷管芯的安装窗口中的芯片将芯片封装在窗口内的盖玻片组成；芯片的绝缘基底材料上加工有独立可控的融合小池，融合小池中加工有梳状微电极组，梳状电极组的梳齿呈交叉插入状，并引出导线，梳状微电极组的梳齿两侧加工有矩形微电极，同一融合小池中的矩形微电极按阵列分布，并且相邻梳齿上的矩形微电极交错相向，梳齿之间形成连续的微流通道，微流通道与该融合小池的细胞进样通道连通。本发明对芯片从结构、材料、加工工艺、封装进行了重新设计，使融合过程中的电场诱导力达到最大，可提高细胞聚集排队和电穿孔的能力，从而提高了细胞电融合效率。
主 权 项：1.一种细胞电融合芯片，由陶瓷管芯、安装在陶瓷管芯的安装窗口中的芯片和将芯片封装在窗口内的盖玻片组成；其特征在于：芯片的绝缘基底材料上加工有独立可控的融合小池，融合小池中加工有梳状微电极组，梳状电极组的梳齿呈交叉插入状，并引出导线，梳状微电极组的梳齿两侧加工有矩形微电极，同一融合小池中的矩形微电极按阵列分布，并且相邻梳齿上的矩形微电极交错相向，梳齿之间形成连续的微流通道，微流通道与该融合小池的细胞进样通道连通。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：C12N5/12; C12M1/42