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一种具有新型缺陷地结构的微带天线阵
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201420492435.8
申 请 日：20140828
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20141210
公 开 号：CN204011721U
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本实用新型公开了一种具有新型缺陷地结构的微带天线阵,属于天线设计领域。该天线阵包括介质基板、微带天线单元和缺陷地结构,所述缺陷地结构包括两个共圆心圆环槽；两个圆环槽上设置有位置对应且宽度相同的开口,且每一个圆环形槽对应一个阻带频率。所述微带天线单元通过接地板对称设置在介质基板两侧,所述缺陷地结构刻蚀在介质基板中间的接地板上,且缺陷地结构的开口在水平方向上。提出了一种针对双频天线阵的新型缺陷地结构以降低天线阵元间的互耦效应。该缺陷地结构简单、紧凑、易实现。将该结构应用于双频微带天线阵中,仿真结果表明天线阵端口的耦合度可以降低12dB以上。
主 权 项：一种具有新型缺陷地结构的微带天线阵,包括介质基板、微带天线单元和缺陷地结构,其特征在于：所述缺陷地结构包括两个共圆心圆环槽；两个圆环槽上设置有位置对应且宽度相同的开口,且每一个圆环形槽对应一个阻带频率。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q13/08