一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710018061.4
申 请 日：20170111
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170426
公 开 号：CN106587030A
代 理 人：张先芸
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212
摘 要：本发明公开了一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法,该方法通过对金属基底先进行高温退火处理,再进行降温退火处理,然后通过化学气相沉积法,在金属基底表面获得石墨烯薄膜。本发明方法提高了金属基底的催化活性,从而降低了石墨烯的生长温度,因此降低了工业生产石墨烯薄膜的能耗及成本,相比传统的化学气相沉积法合成石墨烯薄膜,本发明方法工艺简单,碳源来源广泛,制备的石墨烯薄膜质量高、层数均一且可控。
主 权 项：一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤：(1)将金属基底分别用盐酸、丙酮、去离子水超声清洗5~10min,并除去金属基底表面的水分,然后对金属基底进行高温退火处理,处理条件为：氩气流量300~1000sccm,氢气流量10~100sccm,温度为850~1050℃,处理时间10~90min；(2)对步骤(1)中经高温退火处理的金属基底进行降温退火处理,处理条件为：在氩气气氛下匀速降温至200~800℃,其中氩气流量为300~1000sccm；(3)待步骤(2)中金属基底降至预定反应温度,通入气体碳源和氩气,进行化学气相沉积,即得到石墨烯薄膜。
关 键 词：石墨烯薄膜;制备;化学气相沉积;低温化学;气相沉积;金属基;常压;金属基底表面;催化活性;高温退火;合成石墨;退火处理;传统的;石墨烯;均一;可控;薄膜;能耗;生长
法律状态：
IPC专利分类号：C01B32/186;C23C16/26;C23C16/02