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一种长焦深超分辨直写光刻的光生成器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201911128988.9
申 请 日：20191118
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20200211
公 开 号：CN110780544A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心
摘 要：本发明公开了一种长焦深超分辨直写光刻的光生成器件,它由上至下依次布设透明基底层(1)、纳米光栅结构的光栅掩模层(2)、平坦化膜层(3)和ENZ超材料多层膜(4)。本发明的技术效果是：将高空间频率的倏逝波传输到感光层,形成具有高深宽比、高光场强度特征的深亚波长聚焦光针光刻图形,突破了衍射极限约束,光传输效率高。
主 权 项：1.一种长焦深超分辨直写光刻的光生成器件,其特征是：由上至下依次为透明基底层(1)、纳米环带的金属光栅掩模层(2)、平坦化层(3)和ENZ超材料多层膜(4)。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：G03F7/20;G02B1/00