一种具有连续振幅和相位调控的亚波长孔结构阵列

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410317149.2 

申 请 日：20140704 

发 明 人：陈刚温中泉陈李何应虎 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20170606 

公 开 号：CN104076531B 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明涉及一种连续振幅和相位调控的亚波长孔结构阵列，它由金属材料膜和位于金属材料膜内的若干个双层孔结构单元构成。双层孔结构单元是由在金属膜内制作的上层孔和下层孔组成，上层孔和下层孔为同轴通孔；上层孔的上端面与金属膜层上表面重合，下层孔的下端面与金属膜层下表面重合；对给定波长电磁波，可以通过改变上层孔直径、深度和下层孔直径、深度来调节双层孔结构单元的等效折射率；进而实现在一定范围内的振幅和相位连续调控。可以根据需要，在平面上采用多个双层孔结构单元（即双层孔结构阵列），实现平面空间内振幅、相位分布的连续调控。同时，可以通过在双层孔结构内填充介质材料，进一步改善双层孔结构单元的振幅和相位调节功能。 

主 权 项：一种具有连续振幅和相位调控的亚波长孔结构阵列，其特征在于包括金属膜层(1)和双层孔结构单元(2)；所述金属膜层(1)是一层具有一定厚度的金属材料膜；所述双层孔结构单元(2)是由在金属膜层内制作的上层孔和下层孔组成，上层孔和下层孔为同轴通孔；上层孔的上端面与金属膜层上表面齐平，下层孔的下端面与金属膜层下表面齐平；上层孔直径为D₁，下层孔直径为D₂，D₁和D₂小于波长λ，上层孔深度为T₁，下层孔深度为T₂；所述双层孔结构单元(2)在金属膜层上呈阵列分布；对给定波长的电磁波，通过在平面空间内改变每个单元上层孔直径、深度和下层孔直径、深度来调节双层孔结构单元的等效折射率，进而实现在平面空间内振幅和相位连续调控。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：G02F1/01