IGBT老化状态检测系统

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201610368682.0 

申 请 日：20160527 

发 明 人：周雒维彭英舟张晏铭蔡杰王凯宏孙鹏菊杜雄 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20161130 

公 开 号：CN106168647A 

代 理 人：谢殿武 

代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 

摘　　要：本发明提供的一种IGBT老化状态检测系统，包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机；能够对于IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce进行连续变化测量，从而能够准确判断IGBT的老化状态。 

主 权 项：一种IGBT老化状态检测系统，其特征在于：包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：G01R31/26(2014.01)I;G01R19/00(2006.01)I