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一种Fenton催化纳米等离子体COD传感器及其检测方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510048590.X
申 请 日：20150130
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区正街174号
公 开 日：20171027
公 开 号：CN104568852B
代 理 人：黄书凯
代理机构：重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217
摘 要：本发明涉及一种Fenton催化纳米等离子体COD传感器及其检测方法，由Fenton催化剂与纳米等离子体构成COD传感器，利用Fenton催化剂催化产生羟基自由基氧化有机物，同时利用纳米等离子体共振对催化氧化进行原位探测，从而实现COD的测定。本发明的COD传感器将快速催化氧化与高灵敏传感相结合，通过等离子体共振波动频率反映氧化速度不存在信号背景干扰，检测范围宽、信噪比高、抗干扰力强和工作寿命长，适用于环境现场监测和水处理在线COD的测定。
主 权 项：一种FENTON催化纳米等离子体COD传感器，其特征在于：由透明基底以及设置在该透明基底上的薄膜构成，所述薄膜包括FENTON催化剂、纳米等离子体以及为FENTON催化剂和纳米等离子体提供机械和化学保护的惰性材料层，所述FENTON催化剂为催化产生羟基自由基的无机材料，所述纳米等离子体为纳米结构导体表面的自由电子集合。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01N21/552