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一种分子模拟中基于原子位置的流动速度计算方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510266010.4
申 请 日：20150522
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20170707
公 开 号：CN104809361B
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种分子模拟中基于原子位置的流动速度计算方法，属于分子模拟技术领域。该方法通过对分子模拟中穿透流道截面的流量原子数进行精确的统计，进而能够精确计算流动速度。本发明提供的一种分子模拟中基于原子位置的流动速度计算方法，能够精确计算流速，消除经典分子模拟中，根据分子速度平均计算流速时由于热运动速度所带来的误差；尤其适用于在低速流动中，能够很大程度地提高其流速的计算精度。
主 权 项：一种分子模拟中基于原子位置的流动速度计算方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1：统计分子模拟中穿透流道截面E的流量原子数YL；S2：通过以下公式计算流动速度v，
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：G06F19/00