用SiC作为基片的大功率半导体封装构造及其方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201610442110.2 

申 请 日：20160617 

发 明 人：余淼杨平安王丽蕊浮洁 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20161109 

公 开 号：CN106098564A 

代 理 人：谢殿武 

代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 

摘　　要：本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造,包括基板和用SiC作为基片的芯片,所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层；将金属泡沫层设置于芯片与基板之间,避免芯片与基板之间接触不紧密而造成接触间隙不利于芯片散热,利用金属泡沫层的弹性形变,使得金属泡沫层与芯片与基板充分接触,保证芯片的散热性能好,同时金属泡沫层能够避免因芯片受到压应力而产生微裂纹,保证芯片使用寿命长且性能稳定,并且整体结构简单,封装方便,大大提高工作效率；同时设置散热填料,形成泡沫金属为主要散热,而散热填料为次要散热的结构,保证形成流畅的散热流。 

主 权 项：一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造,其特征在于：包括基板和用SiC作为基片的芯片,所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：H01L21/48;H01L23/373