集成角度传感器的高衍射效率MEMS扫描光栅
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510805579.3
申 请 日：20151120
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20160113
公 开 号：CN105242396A
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：本发明提出一种集成角度传感器的高衍射效率MEMS扫描光栅。它由光栅面、电磁驱动线圈、电磁传感线圈、扭转梁和支撑框架组成。所述光栅面、电磁驱动线圈、电磁传感线圈、扭转梁和支撑框架均制作在同一片偏晶向的(111)硅基底上。光栅面、电磁驱动线圈及电磁传感线圈由一对扭转梁支撑在支撑框架的内部。本发明的光栅为非对称锯齿形的闪耀光栅,大大提高了扫描光栅的衍射效率。本发明采用电磁驱动方式对MEMS扫描光栅进行驱动,可在较低的工作电压下实现光栅的大角度扫描。本发明同时集成了电磁式角度传感器,可以实现光栅扫描角度的实时测量。本发明成果可广泛应用于微型近红外光谱仪系统。
主 权 项：集成角度传感器的高衍射效率MEMS扫描光栅,其特征在于：所述扫描光栅包括光栅面(1)、电磁驱动线圈(2)、电磁传感线圈(3)、扭转梁(4)以及支撑框架(5)；所述光栅面(1)、电磁驱动线圈(2)、电磁传感线圈(3)均制作在同一偏晶向(111)硅片上,并以硅结构层(6)作为其共同的底层,光栅面(1)位于硅结构层的正面,电磁驱动线圈(2)及电磁传感线圈(3)位于硅结构层的背面；光栅面(1)、电磁驱动线圈(2)及电磁传感线圈(3)由扭转梁(4)支撑在支撑框架(5)的内部；所述光栅面(1)具有制作在硅结构层(6)上的反射膜层(11),光栅槽型为非对称锯齿形,光栅为反射型闪耀光栅；所述电磁驱动线圈(2)采用单圈线圈结构,以硅结构层(6)作为底层,由TiW/Au种子层(15)和Au层(16)构成,电磁驱动线圈(2)的输入输出端通过电磁驱动线圈焊盘(7、8)与外部电路相连；所述电磁传感线圈(3)位于电磁驱动线圈(2)内,采用矩形渐开线结构设计,由表层线圈和埋层引线组成,其中表层线圈也包括TiW/Au种子层(15)和Au层(16)；埋层引线为硼层(14),表层线圈和埋层引线之间通过通孔进行连通,电磁传感线圈(3)#的输入输出端通过电磁传感线圈焊盘(9,10)进行输出和测量；所述电磁驱动线圈(2)及电磁传感线圈(3)需在外加恒稳磁场下工作。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：G02B26/10;G02B5/18