一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201910340981.7 

申 请 日：20190425 

发 明 人：赵学童孙健杰杨丽君成立郝建廖瑞金 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区正街174号 

公 开 日：20190611 

公 开 号：CN109867519A 

代 理 人：王海凤 

代理机构：重庆晟轩知识产权代理事务所(普通合伙) 

摘　　要：本发明涉及一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法,该制备方法S1按照ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3摩尔百分比为95-99.5,0.1-2,0.1-2,0.1-2进行混合后湿式球磨；S2湿式球磨24h后,将混合粉末在80oC烘干12h；S3滴加0.5-3mol/L的醋酸,在研钵中进行研磨混合后装入金属模具中加压,同时对金属模具加温,在250oC-350oC,烧结1-3h,自然冷却,得到高电位梯度ZnO压敏陶瓷。采用冷烧结制备ZnO压敏陶瓷,烧结温度大幅的下降,更加的节能环保,得到的ZnO压敏陶瓷电位梯度高达3000V/mm以上,为传统ZnO压敏陶瓷的10倍左右。 

主 权 项：1.一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷,其特征在于：包括ZnO和金属氧化物；所述金属氧化物为Bi2O3、CoO和Mn2O3；所述ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3混合的摩尔比例分别为95-99.5mol%,0.1mol%-2mol%,0.1mol%-2mol%,0.1mol%-2mol%,且所述ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3的摩尔比例之和等于100%。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：C04B35/453;C04B35/645