全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201520949602.1
申 请 日：20151124
申 请 人：国家电网公司国网新疆电力公司电力科学研究院重庆大学
申请人地址：100031 北京市西城区西长安街86号
公 开 日：20160323
公 开 号：CN205105184U
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本实用新型公开了一种全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，用于产生驱动信号，包括光纤驱动单元、与光纤驱动单元连接的发纤发射单元、接收光纤发射单元光信号的光接收单元、接收光接收单元输出信号的驱动信号产生单元以及控制整个驱动电路通断的开关单元。其中驱动芯片为IXDN?609。本实用新型开通过程以低电阻对栅极电容充电，关断过程则为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高MOSFET的开关速度；驱动电路的栅极电压为+12V～+18V，确保被驱动的MOSFET开关的栅极不被击穿，同时确保被驱动的MOSFET开关可靠关断；4、驱动电路具有良好的频率特性，MOSFET开关工作在最好电压和频率下，其自身损耗较小；MOSFET开关用于高压回路中，驱动电路与整个控制电路在电位上严格隔离，确保控制电路安全工作。
主 权 项：一种全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，用于产生驱动信号，其特征在于：包括光纤驱动单元、与光纤驱动单元连接的发纤发射单元、接收光纤发射单元光信号的光接收单元、接收光接收单元输出信号的驱动信号产生单元以及控制整个驱动电路通断的开关单元。
关 键 词：
法律状态：授权
IPC专利分类号：H03K17/04(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I;H03K5/12(2006.01)I