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植入式磁控药物微芯片的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200910250887.9
申 请 日：20091231
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20121114
公 开 号：CN101757718B
代 理 人：谢殿武
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种植入式磁控药物微芯片的制备方法，首先通过聚二甲基硅氧烷凸板制备带有储药池的聚乳酸药物芯片，然后向储药池中加载药物并在药物上方覆盖高纯度四氧化三铁纳米颗粒，最后将储药池通过核孔聚碳酸酯膜封闭即可；本发明的制备方法操作简单，实施容易，成本低廉，所得载药聚乳酸芯片植入人体后，利用四氧化三铁的磁性，通过脉冲对加载药物进行定点、定时、定量控制药物的释放，真正实现对药物释放行为的主动控制，在组织工程和药物缓释领域具有广阔应用前景。
主 权 项：植入式磁控药物微芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将聚乳酸置于设有凸起的聚二甲基硅氧烷凸板上并加热，待聚乳酸熔融完全形成聚乳酸层后冷却，将所得聚乳酸层从聚二甲基硅氧烷凸板剥离，得带有储药池的聚乳酸药物芯片，所述凸起与储药池形状相适形；(2)将药物与四氧化三铁纳米颗粒装载到所述聚乳酸药物芯片的储药池中，再通过带核孔的可植入生物降解膜将储药池封闭，得所需植入式磁控药物微芯片，所述核孔的孔径不大于四氧化三铁纳米颗粒的粒径。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：A61K47/34