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有源矩阵驱动的光栅光调制器
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200810232831.6
申 请 日：20081009
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400033重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20090311
公 开 号：CN101382655A
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所
摘 要：本发明涉及一种有源矩阵驱动的光栅光调制器，由上层的光栅光调制器和下层的有源矩阵驱动组成。扫描信号线和数据信号线分别连接到有源矩阵中开关管的栅极和漏极，有源矩阵的输出连接到光栅光调制器的下电极，而光栅光调制器上电极接地。有源矩阵的输出电压等于光栅光调制器的电压。当扫描信号线为高电平时，有源矩阵开启，数据信号线对有源矩阵的输出电压进行更新；当扫描信号线为低电平时，有源矩阵截止，有源矩阵的输出电压保持。这样，通过控制有源矩输出电压的更新或者保持，可以实现对光栅光调制器运动状态的控制。本光栅光调制器可以消除交叉效应，提高光学对比度和光利用率，真正面向高清晰、高分辨率的投影显示。
主 权 项：1、一种有源矩阵驱动的光栅光调制器，包括上层MEMS光栅光调制器和下层的有源矩阵，其特征在于：在所述上层MEMS光栅光调制器与下层有源矩阵之间存在氧化层，氧化层将所述上层MEMS光栅光调制器和所述下层的有源矩阵隔离，实现上层MEMS光栅光调制器和下层的有源矩阵单芯片集成在硅衬底上，所述有源矩阵具有保持输出电压的作用，通过在所述氧化层中的通孔将有源矩阵输出电压传输到位于氧化层上的MEMS光栅光调制器的下电极，从而控制上层MEMS光栅光调制器。
关 键 词：
法律状态：撤回
IPC专利分类号：G02B26/08(2006.01)I