检索结果分析
- 铜铟锌硫/还原氧化石墨烯纳米复合材料在光催化去除氮氧化合物中的应用
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申请号：CN201810689382.1
申请日：20180628
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及铜铟锌硫/还原氧化石墨烯纳米复合材料在光催化去除氮氧化合物中的应用,属于半导体纳米材料技术领域,其中,CIZS纳米结构作为I#III#VI2族和II#VI族的合金化合物半导体具有合适的带隙,特殊的电子能带结构,...
- 一种氧化亚铜/还原氧化石墨烯纳米线复合材料及其制备方法和应用
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申请号：CN201810689381.7
申请日：20180628
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种氧化亚铜/还原氧化石墨烯纳米线复合材料及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域，该方法以铜盐、3,4,9,10?苝四甲酸二酐和氧化石墨烯为原料，加入还原剂后通过水热法制备氧化亚铜/还原氧化石墨烯纳米线复合材...
- Cuprous oxide-based multi-lamination heterojunction solar cell and preparation method thereof
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申请号：CN201610316088.7
申请日：20160511
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：Abstract：The invention discloses a preparation method of a cuprous oxide-based multi-lamination heterojunction...
- 一种GaN基LED及其制备方法
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申请号：CN201610006255.8
申请日：20160106
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种GaN基LED，通过在普通的LED出光面上镀上一层ZnO薄膜，因为ZnO的折射率在2.0左右，处于空气与GaN折射率之间，使有源层发出的光更易出射，本发明同时结合表面粗化和制备周期性结构排布的微孔图案来实...
- 一种GaN基LED及其制备方法
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申请号：CN201610006255.8
申请日：20160106
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种GaN基LED，通过在普通的LED出光面上镀上一层ZnO薄膜，因为ZnO的折射率在2.0左右，处于空气与GaN折射率之间，使有源层发出的光更易出射，本发明同时结合表面粗化和制备周期性结构排布的微孔图案来实...