一种GaN基LED及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201610006255.8 

申 请 日：20160106 

发 明 人：臧志刚唐孝生魏靖叶颖 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20180626 

公 开 号：CN105428493B 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明公开了一种GaN基LED，通过在普通的LED出光面上镀上一层ZnO薄膜，因为ZnO的折射率在2.0左右，处于空气与GaN折射率之间，使有源层发出的光更易出射，本发明同时结合表面粗化和制备周期性结构排布的微孔图案来实现LED光提取效率的显著提高。本发明还公开了上述GaN基LED结构的制备方法。 

主 权 项：1.一种GaN基LED，所述LED包括依次叠放的蓝宝石基底、缓冲层GaN、n型GaN半导体层、多量子阱活性层、p型GaN半导体层，电连接到缓冲层n型GaN上的n型电极焊盘，电连接到p型GaN半导体层上的p型电极焊盘，其特征在于，所述LED还包括ZnO薄膜结构，所述ZnO薄膜通过旋涂法镀在p型GaN半导体层上；所述ZnO薄膜厚度为10~15nm，所述GaN基LED的制备方法，具体步骤如下：1）在已经制备好的GaN基LED的p?型出光面上旋涂一层透明的ZnO薄膜；2）采用氩气和氢气混合形成的等离子体轰击ZnO薄膜的表面，在高能量粒子的作用下，ZnO薄膜表面形成毛绒状的粗化结构；3）将粗化后的GaN基LED芯片放在飞秒激光系统的三维机械移动平台上，计算机控制聚焦物镜的移动使激光焦点在GaN基LED芯片出光面上扫描，改变飞秒激光的聚焦能量控制在出光面上形成直径在1.5~2μm，深度在?40~45nm的微孔。 

关 键 词：制备;折射率;周期性结构;结合表面;提取效率;出射;粗化;排布;微孔;源层;图案 

法律状态： 

IPC专利分类号：H01L33/44(2010.01)I,H01L33/22(2010.01)I