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具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法
申请号：CN201810229412.0
申请日：20180320
申请人：重庆大学
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摘要：
本发明涉及一种具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法，包含绝缘介质层(1)、多晶硅栅电极(2)、金属化源电极(3)、第二导电类型宽禁带半导体体区(4)、第一导电类型宽禁带半导体源接触区(5)、重掺杂第...
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