检索结果分析
- 一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201810137194.8
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压...
- 一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810137190.X
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶...
- 一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810072735.3
申请日：20180124
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善...