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  • 发明人=陶泽军x
排序:
基于在线监测的抗沉降磁流变阻尼器

申请号:CN201910117087.3

申请日:20190213

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了基于在线监测的抗沉降磁流变阻尼器,主要包括抗沉降磁流变阻尼器、超声波换能器和处理电路。所述磁流变阻尼器具有工作缸。当磁流变阻尼器处于静置状态时,磁流变液发生沉降,所述处理电路通过线束不断获取超声波换能器的接收...
底置双通道双筒抗沉降磁流变阻尼器

申请号:CN201811367739.0

申请日:20181116

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种底置双通道双筒抗沉降磁流变阻尼器,包括外筒、内筒、导向密封组件、磁路组件以及活塞组件。本发明能够对内、外阻尼通道实现分别控制,提供压缩与复原行程独立的阻尼特性,也可以通过对双励磁线圈同时控制实现更大的阻尼...
阻尼器用活塞内置容积补偿结构

申请号:CN201811366760.9

申请日:20181116

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种阻尼器用活塞内置容积补偿结构,包括活塞和活塞杆,活塞为一端敞开、一端封闭的中空结构,活塞杆一端穿过活塞封闭端伸入活塞内,与活塞固定连接,活塞内设置有可沿活塞轴向滑动的浮动活塞和用于支撑浮动活塞的压缩弹簧,...
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