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  • 发明人=陈宗泽x
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一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构

申请号:CN201510076359.1

申请日:20150212

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构,包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2,所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层,所述复合埋层包括设置在...
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