检索结果分析
- 基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极
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申请号：CN201010209435.9
申请日：20100625
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由双抛光的c面蓝宝石衬底、AlxGa1-xN组分渐变缓冲层、p型GaN发射层以及Cs或Cs/O激活层组成；AlxGa1-xN组分渐变缓冲层由n个...
- 基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极
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申请号：CN201020199764.5
申请日：20100521
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型公开了一种基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由蓝宝石制成的阴极透射式衬底层、AlN缓冲层、变掺杂结构的p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层组成，p型GaN光电发射层的掺杂浓度从内表...
- 基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法
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申请号：CN201010179981.2
申请日：20100521
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法，该阴极自下而上由蓝宝石制成的阴极透射式衬底层、AlN缓冲层、变掺杂结构的p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层组成，p型GaN光电发射层的掺杂浓度...
- 一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
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申请号：CN200810233322.5
申请日：20081211
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电...
- 一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
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申请号：CN200810233322.5
申请日：20081211
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电...
- 一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
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申请号：CN200810233322.5
申请日：20081211
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电...