一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200810233322.5 

申 请 日：20081211 

发 明 人：杜晓晴常本康钱芸生赵红王晓兰 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20090603 

公 开 号：CN101447378 

代 理 人：张先芸 

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 

摘　　要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电发射层外延生长在所述GaN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型GaN光电发射层的前表面上，厚度在nm数量级。该结构采用非故意掺杂的GaN材料作为衬底材料和p型GaN光电发射材料之间的缓冲层，从而获得具有零界面复合速率的GaN光电发射材料；提高了界面处电子发射到真空的几率，并最终提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率；由于长波长的紫外光将在GaN光电发射层与缓冲层之间的界面处吸收，因此这种零界面复合速率的材料结构能获得较高的长波紫外灵敏度。??全部 

主 权 项： 

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法律状态： 

IPC专利分类号：H01J1/34(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I