检索结果分析
- 一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
-
申请号：CN200810233322.5
申请日：20081211
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电...
- 一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
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申请号：CN200810233322.5
申请日：20081211
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电...
- 一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
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申请号：CN200810233322.5
申请日：20081211
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电...