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- 直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法
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申请号：CN201210216523.0
申请日：20120618
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法，以阳极氧化法为手段，首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管，再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度，然后将配置好的过渡金属盐溶液与...
- 超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜
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申请号：CN201210216522.6
申请日：20120618
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜，由镍盐和钴盐为原料，在金属钛基底上生成的镍钴复合纳米线薄膜，其中镍盐和钴盐的摩尔比为1～5∶1～5，该薄膜不仅具有较大的比表面积，能简化电极的制备工艺，对碱性环境...