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专利名称
  • 专利名称
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  • 公开号
  • 申请人
  • 发明人
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不限
  • 不限
  • 1989
  • 1990
  • 1991
  • 1992
  • 1993
  • 1994
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  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989

3 条 记 录,以下是 1-3

已选条件:
  • 发明人=胡南x
排序:
基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置及加工工艺

申请号:CN201110395164.5

申请日:20111202

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:一种基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置,由细胞电融合芯片和流路控制层组成。细胞电融合芯片具有硅基底层,在硅基底层上有二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上有顶层低阻硅层,在顶层低阻硅层中有微通道,微通道以二氧化硅绝...
一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置

申请号:CN200910191051.6

申请日:20090930

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明提出了一种基于微小室结构的细胞电融合微电极阵列芯片装置,它由微小室阵列芯片,外围印制电路板和流路控制模块组成。微小室阵列芯片是由石英基底层、金属微电极阵列、多聚物侧壁和多聚物围水栏构成,相对的两金属微电极和相对的两...
基于柱状微电极阵列的细胞电融合芯片装置及电融合方法

申请号:CN200910191052.0

申请日:20090930

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明提出基于柱状微电极阵列的细胞电融合芯片装置,由柱状微电极阵列芯片、印制电路板和流路控制模块组成。柱状微电极阵列芯片从下至上依次为石英基底层、金属导线层、多聚物绝缘层和柱状微电极层组成;柱状微电极阵列芯片的金属导线层...
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