检索结果分析
- 一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
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申请号：CN201811159206.3
申请日：20180930
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器...
- 一种N掺杂TiO2/MXene复合材料及其制备方法和应用
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申请号：CN201810515161.2
申请日：20180525
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种N掺杂TiO2/MXene复合材料及其制备方法和应用,属于纳米材料技术领域,其制备方法包括MXene材料的制备及利用水热法以MXene材料和六次甲基四胺为原料制备N掺杂TiO2/MXene复合材料。该复合材...
- 变压器绕组电热联合老化试验装置及试验方法
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申请号：CN201410426211.1
申请日：20140826
申请人：重庆大学;中国电力科学研究院
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种变压器绕组电热联合老化试验装置及试验方法，其中试验装置包括用于提供老化环境的密封罐、用于支撑变压器绕组模型的支撑板和用于提供高压电源与高压电极的高压引流装置，所述密封罐内设置有挡板，所述挡板将密封罐分隔成...