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一种横向超结结构氮化镓HEMT器件及其制造方法
申请号：CN201810229172.4
申请日：20180320
申请人：重庆大学
浏览量：0
摘要：
本发明涉及一种横向超结结构氮化镓HEMT器件及其制造方法，该方法包含如下步骤：S1：在准备好的衬底层上依次布置AlN层、GaN缓冲层，GaN沟道层；S2：在步骤S1得到的外延片上涂一层光刻胶作为离子注入阻挡层；S3：对光...
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