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专利名称
- 专利名称
- 申请号
- 公开号
- 申请人
- 发明人
- 关键词
不限
- 不限
- 1989
- 1990
- 1991
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- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
已选条件：
- 发明人=童中华
- 应用于有机薄膜场效应晶体管测试的装置
-
申请号：CN201320197516.0
申请日：20130418
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种应用于有机薄膜场效应晶体管测试的装置，包括印刷电路和用于支撑所测器件的支撑台；印刷电路板包含三个子电路，分别是共源极测试电路、共漏极测试电路以及共栅极测试电路；印刷电路板的内侧面焊接至少一组探针组件；每...
- 一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件
-
申请号：CN201310110855.5
申请日：20130401
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材...
- 一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件
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申请号：CN201310110855.5
申请日：20130401
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材...