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发明人=王凡城

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排序：

一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法

申请号：CN201810066650.4

申请日：20180124

申请人：重庆大学

浏览量：0

摘要：本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3...

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