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新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法
申请号：CN201810223262.2
申请日：20180319
申请人：重庆大学
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摘要：
本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域,公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法,掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能,掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2#3倍,并且材料...
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