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芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法
申请号：CN201710952993.6
申请日：20171013
申请人：重庆大学
浏览量：0
摘要：
本发明涉及一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；I...
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