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一种高纯铝硅靶材的制备方法
申请号：CN201410776759.9
申请日：20141217
申请人：重庆大学
浏览量：0
摘要：
本发明公开了一种高纯铝硅靶材的制备方法，它包括步骤1的固溶处理，将高纯铝硅材料在520-550℃下保温2-6小时后，取出后水淬；步骤2的轧制，经过固溶处理的高纯铝硅材料在轧机上冷轧，厚度变形量为75-90%，轧制过程中用...
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