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一种高纯铝硅靶材的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410776759.9
申 请 日：20141217
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20150325
公 开 号：CN104451566A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种高纯铝硅靶材的制备方法，它包括步骤1的固溶处理，将高纯铝硅材料在520-550℃下保温2-6小时后，取出后水淬；步骤2的轧制，经过固溶处理的高纯铝硅材料在轧机上冷轧，厚度变形量为75-90%，轧制过程中用水冷却；步骤3的再结晶退火，经轧制后的高纯铝硅材料在温度350-450℃下保温1-10小时。与现有技术相比，本发明的技术效果是：所得的高纯铝硅溅射靶材的晶粒尺寸控制在60um以内，晶粒取向为随机织构，该溅射靶材的晶粒尺寸和织构分布完全能满足工业生产需求，加工简单，加工参数控制可靠。
主 权 项：一种高纯铝硅靶材的制备方法，其特征是：包括以下步骤：?????步骤1、固溶处理?????将高纯铝硅材料在520?550℃下保温2?6小时后，取出后水淬；步骤2、轧制经过固溶处理的高纯铝硅材料在轧机上冷轧，厚度变形量为75?90%，轧制过程中用水冷却；步骤3、再结晶退火经轧制后的高纯铝硅材料在温度350?450℃下保温1?10小时。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：C23C14/34(2006.01)I;C22F1/043(2006.01)I