检索结果分析
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...