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一种掺杂大块单晶SnS的制备方法
申请号：CN201810486631.7
申请日：20180521
申请人：重庆大学
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摘要：
本发明属于半导体材料掺杂技术领域,公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分...
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