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具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件及其制造方法
申请号：CN201810229695.9
申请日：20180320
申请人：重庆大学
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摘要：
本发明涉及一种具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，包含碳化硅衬底(101)、第一外延层(201)、P型离子注入区(203)、第二外延层(301)、沟槽结构(302)、终端区绝缘介质隔离...
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