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一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺
申请号：CN201310285386.0
申请日：20130709
申请人：重庆大学
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摘要：
一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，属于功能薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法制备一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜，其膜层结构从衬底基片往上依次为：钽过渡层、银层、氮化硅铝介质层。该膜层可见光透过率高，红外辐射率低，拥...
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