一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310285386.0 

申 请 日：20130709 

发 明 人：黄佳木香承杰李少辉张兴元赵小丽覃丽禄 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20131120 

公 开 号：CN103395239A 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，属于功能薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法制备一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜，其膜层结构从衬底基片往上依次为：钽过渡层、银层、氮化硅铝介质层。该膜层可见光透过率高，红外辐射率低，拥有较长的使用寿命。本发明制备工艺简单，操作方便，生产成本低廉，具有很好的工业化应用前景。可广泛应用于节能建筑玻璃、汽车玻璃等行业，降低玻璃热损，减少调控室温的能耗。 

主 权 项：一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，其特征在于膜层结构从衬底基片往上依次为钽过渡层/银层/氮化硅铝介质层的三明治结构。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B15/085(2006.01)I;B32B15/09(2006.01)I;B32B17/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I